0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| भाग क्रमांक | TK30A06N1,S4X | निर्माता | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| वर्णन | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 | लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिती | लीड फ्री / आरओएचएस आज्ञापालन |
| प्रमाण उपलब्ध | 85438 pcs | माहिती पत्रक | TK30A06N1,S4X.pdf |
| व्हीजीएस (वॅ) (मॅक्स) @ आयडी | 4V @ 200µA | व्हीजीएस (मॅक्स) | ±20V |
| तंत्रज्ञान | MOSFET (Metal Oxide) | पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज | TO-220SIS |
| मालिका | U-MOSVIII-H | आरडीएस ऑन (मॅक्स) @ आयडी, व्ही. एस | 15 mOhm @ 15A, 10V |
| पॉवर डिसीपेशन (मॅक्स) | 25W (Tc) | पॅकेजिंग | Tube |
| पॅकेज / प्रकरण | TO-220-3 Full Pack | इतर नावे | TK30A06N1,S4X(S TK30A06N1,S4X-ND TK30A06N1S4X |
| कार्यशील तापमान | 150°C (TJ) | माउंटिंग प्रकार | Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिती | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कॅपेसिटान्स (सीस) (मॅक्स) @ व्हीडीएस | 1050pF @ 30V | गेट चार्ज (क्यूजी) (मॅक्स) @ व्हीजीएस | 16nC @ 10V |
| एफईटी प्रकार | N-Channel | एफईटी फीचर | - |
| ड्राइव्ह व्होल्टेज (वर जास्तीत जास्त RDS चालू, किमान RDS चालू) | 10V | स्त्रोत व्होल्टेजचे ड्रेन (व्हीडीएसएस) | 60V |
| तपशीलवार वर्णन | N-Channel 60V 30A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220SIS | करंट - सतत ड्रेन (आयडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 30A (Tc) |
| फेडेक्स | www.fedEx.com | $ 35.00 पासून मूळ शिपिंग शुल्क क्षेत्र आणि देशावर अवलंबून असते. |
|---|---|---|
| डीएचएल | www.DHL.com | $ 35.00 पासून मूळ शिपिंग शुल्क क्षेत्र आणि देशावर अवलंबून असते. |
| यूपीएस | www.UPS.com | $ 35.00 पासून मूळ शिपिंग शुल्क क्षेत्र आणि देशावर अवलंबून असते. |
| टीएनटी | www.TNT.com | $ 35.00 पासून मूळ शिपिंग शुल्क क्षेत्र आणि देशावर अवलंबून असते. |
